Numărul de produs al producătorului:
IRF634NPBF
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF634NPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 3.8W (Ta), 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12908385
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF634NPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
435mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 88W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF634
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF634NPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFB4229PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
993
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFB4229PBF-DG
PREȚ UNIC
1.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF840LCSPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRFI9630G
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
IXFP130N10T2
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB