IRF614
Numărul de produs al producătorului:

IRF614

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF614-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 250V 2.7A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventar:

RFQ Online
12885835
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IRF614 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF614

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
IRF614-DG
Fișe tehnice
IRF614

Informații suplimentare

Alte nume
*IRF614
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IRF614PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF614PBF-DG
PREȚ UNIC
0.62
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFD9120

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

vishay-siliconix

IRF830S

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRF640STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO263

vishay-siliconix

IRFDC20

MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP