Numărul de produs al producătorului:
2N6661-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
2N6661-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Descriere detaliată:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
12905458
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2N6661-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
90 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
860mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-39
Pachet / Carcasă
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Numărul de bază al produsului
2N6661
Informații suplimentare
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
2N6661
PRODUCĂTOR
Solid State Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
6694
DiGi NUMĂR DE PARTE
2N6661-DG
PREȚ UNIC
4.60
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFZ14L
MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
IRFD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
ZXMN2A02N8TA
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
