Numărul de produs al producătorului:
TPN2R805PL,L1Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPN2R805PL,L1Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 45V 80A 8TSON
Descriere detaliată:
N-Channel 45 V 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
4905 Piese Noi Originale În Stoc
12890929
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPN2R805PL,L1Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
45 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3200 pF @ 22.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPN2R805
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TPN2R805PL,L1QCT
264-TPN2R805PL,L1QDKR
264-TPN2R805PL,L1QTR
TPN2R805PLL1Q-DG
TPN2R805PLL1Q
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPN1R603PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
TK60E08K3,S1X(S
MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
TK3A60DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
