Numărul de produs al producătorului:
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
47 Piese Noi Originale În Stoc
12890934
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK3A60DA(STA4,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK3A60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK3A60DA(STA4QM)
TK3A60DASTA4QM
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STF3N62K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1978
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF3N62K3-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK72E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
TPCC8093,L1Q
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS