Numărul de produs al producătorului:
TPH6400ENH,L1Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPH6400ENH,L1Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 13A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 13A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
17990 Piese Noi Originale În Stoc
12890818
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
UYfF
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPH6400ENH,L1Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP Advance (5x5)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPH6400
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TPH6400ENHL1QCT
TPH6400ENHL1QDKR
TPH6400ENH,L1Q(M
TPH6400ENH,L1QDKR
TPH6400ENH,L1QTR-DG
TPH6400ENH,L1QCT-DG
TPH6400ENH,L1QTR
TPH6400ENH,L1QDKR-DG
TPH6400ENHL1QTR
TPH6400ENH,L1QCT
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK4016(Q)
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
