Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK4R4P06PL,RQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK4R4P06PL,RQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
885 Piese Noi Originale În Stoc
12890822
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
f
O
J
8
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK4R4P06PL,RQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3280 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
87W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TK4R4P06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK4R4P06PL
Informații suplimentare
Alte nume
TK4R4P06PLRQ(S2
TK4R4P06PLRQ
TK4R4P06PL,RQTR
TK4R4P06PLRQCT
TK4R4P06PLRQDKR
TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PLRQTR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NP90N055VUK-E1-AY
PRODUCĂTOR
Renesas Electronics Corporation
CANTITATE DISPONIBILĂ
4797
DiGi NUMĂR DE PARTE
NP90N055VUK-E1-AY-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK55D10J1(Q)
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
SSM3K2615TU,LF
MOSFET N-CH 60V 2A UFM
TK11P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
TK50P03M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 30V 50A DP