Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
RFQ Online
12890298
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPCF8B01(TE85L,F,M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
330mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VS-8 (2.9x1.5)
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
TPCF8B01
Informații suplimentare
Alte nume
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
TK5A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
TK35N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
TPWR8503NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP