Numărul de produs al producătorului:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
12890298
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPCF8B01(TE85L,F,M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
330mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
VS-8 (2.9x1.5)
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
TPCF8B01
Informații suplimentare
Alte nume
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
TK5A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
TK35N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
