Numărul de produs al producătorului:
TPCC8105,L1Q
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPCC8105,L1Q-DG
Descriere:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 23A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Inventar:
5000 Piese Noi Originale În Stoc
12988372
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPCC8105,L1Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pachet / Carcasă
8-VDFN Exposed Pad
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TPCC8105,L1QTR-DG
264-TPCC8105,L1QCT
264-TPCC8105,L1QDKR
264-TPCC8105,L1QTR
264-TPCC8105L1QTR
264-TPCC8105L1QTR-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PXN010-30QLJ
PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
TK25V60X5,LQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM
G20P06K
MOSFET P-CH 60V 20A TO-252