Numărul de produs al producătorului:
TJ90S04M3L,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TJ90S04M3L,LQ-DG
Descriere:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
69 Piese Noi Originale În Stoc
12988410
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TJ90S04M3L,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7700 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK+
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TJ90S04M3L,LQDKR
264-TJ90S04M3LLQTR-DG
264-TJ90S04M3L,LQTR
264-TJ90S04M3LLQTR
264-TJ90S04M3L,LQCT
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TJ90S04M3L,LXHQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
6685
DiGi NUMĂR DE PARTE
TJ90S04M3L,LXHQ-DG
PREȚ UNIC
0.61
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB65R090CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
S2M0025120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK2R9E10PL,S1X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-