Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TPCC8067-H,LQ(S
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPCC8067-H,LQ(S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 15W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
RFQ Online
12891042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPCC8067-H,LQ(S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSVII-H
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
690 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700mW (Ta), 15W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPCC8067
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TPCC8067-H
Informații suplimentare
Alte nume
TPCC8067-HLQ(S
TPCC8067HLQS
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TPN11003NL,LQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
2619
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPN11003NL,LQ-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
TPN30008NH,LQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
2775
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPN30008NH,LQ-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E070BNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
6697
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E070BNTB-DG
PREȚ UNIC
0.09
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK5P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
TK2P60D(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
TPC8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
SSM3K72KFS,LF
MOSFET N-CH 60V 300MA SSM