Numărul de produs al producătorului:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPN11003NL,LQ-DG
Descriere:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventar:
2619 Piese Noi Originale În Stoc
12891204
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPN11003NL,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700mW (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPN11003
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RQ3E120GNTB
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
11286
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ3E120GNTB-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS