Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TK6A60W,S4VX
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK6A60W,S4VX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 6.2A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
45 Piese Noi Originale În Stoc
12889556
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK6A60W,S4VX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 310µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK6A60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
TK6A60W
Informații suplimentare
Alte nume
TK6A60WS4VX
TK6A60W,S4VX(M
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPAN65R650CEXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
462
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6008ANX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6008ANX-DG
PREȚ UNIC
1.64
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
R6007KNX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6007KNX-DG
PREȚ UNIC
1.02
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N70X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
24
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N70X2M-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STF9N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1988
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF9N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.53
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK13A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 13A TO220SIS
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 40A DPAK
TK25N60X5,S1F
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
TK50E10K3(S1SS-Q)
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB