Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPAN65R650CEXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPAN65R650CEXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
462 Piese Noi Originale În Stoc
12851047
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPAN65R650CEXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPAN65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPAN65R650CEXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPAN65R650CEXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP001508828
ROCINFIPAN65R650CEXKSA1
2156-IPAN65R650CEXKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCPF850N80Z
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCPF850N80Z-DG
PREȚ UNIC
1.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STF10LN80K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
799
DiGi NUMĂR DE PARTE
STF10LN80K5-DG
PREȚ UNIC
1.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTP4N70X2M
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
24
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP4N70X2M-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP10NK70ZFP
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
931
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP10NK70ZFP-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD6530A
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
FDMC86260ET150
MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33
FDD5810-F085
MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK
HUF76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK