Numărul de produs al producătorului:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK58A06N1,S4X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
4 Piese Noi Originale În Stoc
12890337
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK58A06N1,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK58A06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK