Numărul de produs al producătorului:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
47 Piese Noi Originale În Stoc
12890339
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK3A65D(STA4,Q,M) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
π-MOSVII
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK3A65
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFIBC30GPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1568
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFIBC30GPBF-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
TPCA8021-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
