TK40E10K3,S1X(S
Numărul de produs al producătorului:

TK40E10K3,S1X(S

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

TK40E10K3,S1X(S-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 40A (Ta) Through Hole TO-220-3

Inventar:

12949760
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

TK40E10K3,S1X(S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIV
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK40E10

Informații suplimentare

Alte nume
TK40E10K3S1XS
TK40E10K3S1X(S
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
TK22E10N1,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
11
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK22E10N1,S1X-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMNH6012LK3-13

MOSFET N-CH 60V 60A TO252

diodes

DMN5L06KQ-7

MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 5A TO220SIS

diodes

DMP2900UW-7

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323