Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
DMNH6012LK3-13
Product Overview
Producător:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Cod de parte:
DMNH6012LK3-13-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 60A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventar:
RFQ Online
12949773
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
DMNH6012LK3-13 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Diodes Incorporated
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1926 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
DMNH6012
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
DMNH6012LK3-13-DG
Fișe tehnice
DMNH6012LK3-13
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD13AN06A0-F085
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3311
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD13AN06A0-F085-DG
PREȚ UNIC
0.55
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDD86581-F085
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
9781
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD86581-F085-DG
PREȚ UNIC
0.45
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDD13AN06A0
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
11834
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD13AN06A0-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPD50N06S4L12ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
17005
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD60NF55LAT4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD60NF55LAT4-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMN5L06KQ-7
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
TK5A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 5A TO220SIS
DMP2900UW-7
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323
DMT6017LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO