Numărul de produs al producătorului:
TK33S10N1Z,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK33S10N1Z,LQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
1940 Piese Noi Originale În Stoc
12889506
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK33S10N1Z,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK+
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TK33S10
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK33S10N1ZLQTR
TK33S10N1ZLQCT
TK33S10N1ZLQDKR
TK33S10N1Z,LQ(O
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD80N10F7
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2500
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD80N10F7-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM