Numărul de produs al producătorului:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
2361 Piese Noi Originale În Stoc
12889524
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TJ60S06M3L(T6L1,NQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7760 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK+
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TJ60S06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT
TJ60S06M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6J401TU,LF
MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
2SK2963(TE12L,F)
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
