Numărul de produs al producătorului:
TK30E06N1,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK30E06N1,S1X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
24 Piese Noi Originale În Stoc
12890280
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK30E06N1,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
43A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
53W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
TK30E06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP60NF06L
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
994
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP60NF06L-DG
PREȚ UNIC
0.80
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
