Numărul de produs al producătorului:
TK2R4E08QM,S1X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK2R4E08QM,S1X-DG
Descriere:
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
176 Piese Noi Originale În Stoc
12965675
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK2R4E08QM,S1X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
U-MOSX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.44mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK2R4E08QM,S1X(S
264-TK2R4E08QMS1X
264-TK2R4E08QM,S1X
264-TK2R4E08QM,S1X-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIR188LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SI4484EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
SIHA15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
