Numărul de produs al producătorului:
SIR188LDP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIR188LDP-T1-RE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 25.8A (Ta), 93.6A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
4417 Piese Noi Originale În Stoc
12965682
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIR188LDP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIR188LDP-T1-RE3CT
742-SIR188LDP-T1-RE3TR
742-SIR188LDP-T1-RE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4484EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
SIHA15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
R6535KNX3C16
650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
