TK20J60W,S1VE
Numărul de produs al producătorului:

TK20J60W,S1VE

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

TK20J60W,S1VE-DG

Descriere:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-3P(N)

Inventar:

21 Piese Noi Originale În Stoc
12920884
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

TK20J60W,S1VE Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
165W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P(N)
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
TK20J60

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
264-TK20J60WS1VE
TK20J60W,S1VE(S
Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

TK20E60W5,S1VX

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH2R003PL,LQ

MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3R9E10PL,S1X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH3R70APL,L1Q

MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP