Numărul de produs al producătorului:
TPH2R003PL,LQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TPH2R003PL,LQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventar:
12038 Piese Noi Originale În Stoc
12920887
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TPH2R003PL,LQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6410 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
830mW (Ta), 116W (Tc)
Temperatura
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOP Advance (5x5)
Pachet / Carcasă
8-PowerVDFN
Numărul de bază al produsului
TPH2R003
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-TPH2R003PLLQCT
264-TPH2R003PLLQTR
TPH2R003PL,LQ(S
264-TPH2R003PLLQDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
