Numărul de produs al producătorului:
TK16V60W,LVQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK16V60W,LVQ-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 139W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Inventar:
12890260
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
QEIW
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK16V60W,LVQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
DTMOSIV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 790µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
139W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
4-DFN-EP (8x8)
Pachet / Carcasă
4-VSFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
TK16V60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK16V60WLVQTR
TK16V60WLVQCT
TK16V60WLVQDKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TK20V60W5,LVQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
4812
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK20V60W5,LVQ-DG
PREȚ UNIC
1.30
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK8P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
V30429-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
DMN1017UCP3-7
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
