Numărul de produs al producătorului:
SSM6P35FE,LM
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6P35FE,LM-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6
Inventar:
12889538
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6P35FE,LM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12.2pF @ 3V
Putere - Max
150mW
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
SSM6P35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM6P35FELM
SSM6P35FE,LM(T
SSM6P35FE,LM(B
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6N35FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
SSM6N62TU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
SSM6P35FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
