Numărul de produs al producătorului:
SSM6N35FE,LM
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6N35FE,LM-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 180mA 150mW Surface Mount ES6
Inventar:
3450 Piese Noi Originale În Stoc
12889583
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6N35FE,LM Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 3V
Putere - Max
150mW
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
SSM6N35
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SSM6N35FE,LM(T
SSM6N35FE(TE85LF)CT-DG
SSM6N35FE(TE85LF)DKR-DG
SSM6N35FE(TE85L,F)
SSM6N35FELMCT
SSM6N35FE(TE85LF)TR-DG
SSM6N35FETE85LF
SSM6N35FE(TE85LF)DKR
SSM6N35FE,LM(B
SSM6N35FELMDKR
SSM6N35FE(TE85LF)CT
SSM6N35FE(TE85LF)TR
SSM6N35FELMTR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SSM6N62TU,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
SSM6P35FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
SSM6N58NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
