Numărul de produs al producătorului:
SSM6N7002KFU,LXH
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM6N7002KFU,LXH-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6
Inventar:
8535 Piese Noi Originale În Stoc
12964412
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM6N7002KFU,LXH Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
40pF @ 10V
Putere - Max
285mW (Ta)
Temperatura
150°C
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
US6
Numărul de bază al produsului
SSM6N7002
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
264-SSM6N7002KFULXHCT
SSM6N7002KFU,LXH(B
264-SSM6N7002KFULXHTR
264-SSM6N7002KFULXHDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3983DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6TSOP
SI1902DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
SSM6N62TU,LXHF
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
