Numărul de produs al producătorului:
PJQ1820_R1_00001
Product Overview
Producător:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PJQ1820_R1_00001-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 800mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1010-6L
Inventar:
12964811
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PJQ1820_R1_00001 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
PANJIT
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tehnologie
-
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
46pF @ 10V
Putere - Max
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-UFDFN
Pachet dispozitiv furnizor
DFN1010-6L
Numărul de bază al produsului
PJQ1820
Informații suplimentare
Alte nume
3757-PJQ1820_R1_00001CT
3757-PJQ1820_R1_00001TR
3757-PJQ1820_R1_00001DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SH8MC5TB1
MOSFET N/P-CH 60V 6.5A/7A 8SOP
QH8MB5TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
SI4834BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
