QH8MB5TCR

Numărul de produs al producătorului:

QH8MB5TCR

Product Overview

Producător:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Cod de parte:

QH8MB5TCR-DG

Descriere:

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8

Descriere detaliată:

Mosfet Array 40V 4.5A (Ta), 5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8

Inventar:

981 Piese Noi Originale În Stoc

12965317

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

QH8MB5TCR Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri

Producător

ROHM Semiconductor

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Starea produsului

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Configurație

N and P-Channel

Caracteristică FET

-

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

4.5A (Ta), 5A (Ta)

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 20V, 920pF @ 20V

Putere - Max

1.1W (Ta)

Temperatura

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Carcasă

8-SMD, Flat Lead

Pachet dispozitiv furnizor

TSMT8

Numărul de bază al produsului

QH8MB5

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

846-QH8MB5TCRTR

846-QH8MB5TCRDKR

846-QH8MB5TCRCT

Pachet standard

3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

vishay-siliconix

SI4834BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

rohm-semi

QH8MC5TCR

MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8

rohm-semi

QH8KB5TCR

MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8

SQJ912AEP-T2_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8