Numărul de produs al producătorului:
SSM5G10TU(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
SSM5G10TU(TE85L,F)-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventar:
40 Piese Noi Originale În Stoc
12889139
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SSM5G10TU(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Cut Tape (CT)
Serie
U-MOSIII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
UFV
Pachet / Carcasă
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Numărul de bază al produsului
SSM5G10
Informații suplimentare
Alte nume
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
SSM3K37MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TK290A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS