Numărul de produs al producătorului:
TK290A60Y,S4X
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TK290A60Y,S4X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12889146
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TK290A60Y,S4X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tube
Serie
DTMOSV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 300 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220SIS
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
TK290A60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TK290A60Y,S4X(S
TK290A60YS4X(S
TK290A60YS4X
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
R6015ENX
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
23
DiGi NUMĂR DE PARTE
R6015ENX-DG
PREȚ UNIC
1.61
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPA15N60C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
266
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPA15N60C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.58
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TK290P60Y,RQ
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
SSM6J424TU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A UF6
2SJ438(AISIN,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
