RN49A1(T5L,F,T)
Numărul de produs al producătorului:

RN49A1(T5L,F,T)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN49A1(T5L,F,T)-DG

Descriere:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6

Inventar:

12890790
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN49A1(T5L,F,T) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
2.2kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
US6
Numărul de bază al produsului
RN49A1

Informații suplimentare

Alte nume
RN49A1(T5LFT)TR
RN49A1(T5LFT)CT
RN49A1(T5LFT)DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
DCX123JU-7-F
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
234811
DiGi NUMĂR DE PARTE
DCX123JU-7-F-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1602(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1906,LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2904(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2710,LF

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH