Numărul de produs al producătorului:
RN1602(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1602(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventar:
8560 Piese Noi Originale În Stoc
12890792
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1602(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74, SOT-457
Pachet dispozitiv furnizor
SM6
Numărul de bază al produsului
RN1602
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1602(TE85LF)DKR
RN1602(TE85LF)TR
RN1602TE85LF
RN1602(TE85LF)CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN1906,LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2904(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2710,LF
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH