RN2412TE85LF
Numărul de produs al producătorului:

RN2412TE85LF

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2412TE85LF-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventar:

3000 Piese Noi Originale În Stoc
12891350
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2412TE85LF Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
22 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200 MHz
Putere - Max
200 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachet dispozitiv furnizor
S-Mini
Numărul de bază al produsului
RN2412

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
RN2412TE85LFCT
RN2412TE85LF-DG
RN2412(TE85L,F)
RN2412TE85LFTR
RN2412TE85LFDKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1317(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2318(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1109,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM