RN2318(TE85L,F)
Numărul de produs al producătorului:

RN2318(TE85L,F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2318(TE85L,F)-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Inventar:

3000 Piese Noi Originale În Stoc
12891358
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2318(TE85L,F) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
47 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
200 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70
Numărul de bază al produsului
RN2318

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
RN2318(TE85LF)-DG
RN2318(TE85LF)TR
RN2318(TE85LF)DKR
RN2318(TE85LF)
RN2318(TE85LF)CT
RN2318TE85LF
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1109,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2103,LF(CT

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1308,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70