Numărul de produs al producătorului:
RN2107ACT(TPL3)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2107ACT(TPL3)-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventar:
12890717
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2107ACT(TPL3) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
80 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
10 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-101, SOT-883
Pachet dispozitiv furnizor
CST3
Numărul de bază al produsului
RN2107
Informații suplimentare
Alte nume
RN2107ACT(TPL3)DKR
RN2107ACT(TPL3)TR
RN2107ACT(TPL3)CT
Pachet standard
10,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PDTA114TMB,315
PRODUCĂTOR
NXP Semiconductors
CANTITATE DISPONIBILĂ
668175
DiGi NUMĂR DE PARTE
PDTA114TMB,315-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2402,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2104MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1417,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI