Numărul de produs al producătorului:
RN1417,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1417,LF-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
2690 Piese Noi Originale În Stoc
12890728
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1417,LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
10 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
4.7 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
200 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachet dispozitiv furnizor
S-Mini
Numărul de bază al produsului
RN1417
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1417LFTR-DG
RN1417LFCT-DG
RN1417LFCT
RN1417,LF(B
RN1417LFTR
264-RN1417,LFCT
264-RN1417,LFTR
RN1417LFDKR-DG
264-RN1417,LFDKR
RN1417LFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2411,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2108MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2105MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
