Numărul de produs al producătorului:
RN2105MFV,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2105MFV,L3F-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
12890741
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2105MFV,L3F Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Putere - Max
150 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-723
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Numărul de bază al produsului
RN2105
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN2105MFVL3F
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NSVDTA123JM3T5G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NSVDTA123JM3T5G-DG
PREȚ UNIC
0.03
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2102,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN2315TE85LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN1116(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
