RN2105,LF(CT
Numărul de produs al producătorului:

RN2105,LF(CT

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN2105,LF(CT-DG

Descriere:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Inventar:

12890867
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN2105,LF(CT Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
PNP - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
200 MHz
Putere - Max
100 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-75, SOT-416
Pachet dispozitiv furnizor
SSM
Numărul de bază al produsului
RN2105

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
RN2105LF(CTCT
RN2105LF(CTTR
RN2105LF(CTDKR
RN2105,LF(CB
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2108ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1118(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2115MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1111ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3