Numărul de produs al producătorului:
RN1706,LF
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1706,LF-DG
Descriere:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventar:
6587 Piese Noi Originale În Stoc
12889410
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1706,LF Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
4.7kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
200mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Pachet dispozitiv furnizor
USV
Numărul de bază al produsului
RN1706
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1706,LF(B
RN1706LFTR
RN1706LFDKR
RN1706LFCT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2911FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4984FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4989(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6