Numărul de produs al producătorului:
RN2911FE(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN2911FE(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
3975 Piese Noi Originale În Stoc
12889418
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN2911FE(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
-
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
200MHz
Putere - Max
100mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
ES6
Numărul de bază al produsului
RN2911
Informații suplimentare
Alte nume
RN2911FE(TE85LF)CT
RN2911FE(TE85LF)TR
RN2911FE(TE85LF)DKR
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NSBA114TDXV6T1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
NSBA114TDXV6T1G-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
DDA114TH-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
5848
DiGi NUMĂR DE PARTE
DDA114TH-7-DG
PREȚ UNIC
0.10
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN4984FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4989(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4910,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6