RN1502(TE85L,F)
Numărul de produs al producătorului:

RN1502(TE85L,F)

Product Overview

Producător:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Cod de parte:

RN1502(TE85L,F)-DG

Descriere:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV

Inventar:

12234 Piese Noi Originale În Stoc
12889601
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

RN1502(TE85L,F) Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74A, SOT-753
Pachet dispozitiv furnizor
SMV
Numărul de bază al produsului
RN1502

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
RN1502(TE85LF)CT
RN1502(TE85LF)TR
RN1502(TE85LF)DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

RN4982,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1910FE(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4981FE,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1507(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV