Numărul de produs al producătorului:
RN1507(TE85L,F)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1507(TE85L,F)-DG
Descriere:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
Inventar:
4478 Piese Noi Originale În Stoc
12889633
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1507(TE85L,F) Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
10kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
47kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
100nA (ICBO)
Frecvență - Tranziție
250MHz
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SC-74A, SOT-753
Pachet dispozitiv furnizor
SMV
Numărul de bază al produsului
RN1507
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1507TE85LF
RN1507(TE85LF)CT
RN1507(TE85LF)DKR
RN1507(TE85LF)TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2910FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4982FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2965(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6