Numărul de produs al producătorului:
RN1115MFV,L3F
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
RN1115MFV,L3F-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
12891331
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
RN1115MFV,L3F Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Transistoare bipolare pre-biasate simple
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Not For New Designs
Tip tranzistor
NPN - Pre-Biased
Curent - Colector (Ic) (Max)
100 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Rezistor - Bază (R1)
2.2 kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
10 kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
500nA
Frecvență - Tranziție
250 MHz
Putere - Max
150 mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-723
Pachet dispozitiv furnizor
VESM
Numărul de bază al produsului
RN1115
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
RN1115MFVL3FDKR
RN1115MFV,L3F(T
RN1115MFV,L3F(B
RN1115MFVL3FTR
RN1115MFVL3FCT
Pachet standard
8,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
RN2102ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN1404,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
RN1423TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI