Numărul de produs al producătorului:
2SJ668(TE16L1,NQ)
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
2SJ668(TE16L1,NQ)-DG
Descriere:
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Inventar:
12889158
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2SJ668(TE16L1,NQ) Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
-
Serie
U-MOSIII
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
20W (Tc)
Temperatura
150°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PW-MOLD
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
2SJ668
Informații suplimentare
Alte nume
2SJ668(TE16L1NQ)
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TJ8S06M3L,LXHQ
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3443
DiGi NUMĂR DE PARTE
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
TK8A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
