Numărul de produs al producătorului:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Cod de parte:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventar:
2000 Piese Noi Originale În Stoc
12889173
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DPAK+
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
TJ50S06
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
