STW72N60DM2AG
Numărul de produs al producătorului:

STW72N60DM2AG

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STW72N60DM2AG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

600 Piese Noi Originale În Stoc
12881748
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STW72N60DM2AG Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5508 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
446W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW72

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
497-16130-5
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFP450A

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

stmicroelectronics

STB11NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

vishay-siliconix

IRFD9120PBF

MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP

stmicroelectronics

STD10NM65N

MOSFET N-CH 650V 9A DPAK