Numărul de produs al producătorului:
STB11NM60N-1
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STB11NM60N-1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventar:
12881788
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STB11NM60N-1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
-
Serie
MDmesh™ II
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
850 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
90W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I2PAK
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
STB11N
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCI7N60
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
990
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCI7N60-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STP13NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
649
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP13NM60N-DG
PREȚ UNIC
2.01
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFD9120PBF
MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP
STD10NM65N
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
2N6661JTXL02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
